氧化（Oxidation）是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面發生化學反應形成氧化膜的過程，是集成電路工藝中應用較廣泛的基礎工藝之一。氧化膜的用途廣泛，可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層（損傷緩沖層）、表面鈍化、絕緣柵材料以及器件保護層、隔離層、器件結構的介質層等。 擴散（Diffusion）是在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質元素按工藝要求摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，達到改變材料的電學特性，形成半導體器件結構的目的。在硅集成電路工藝中，擴散工藝用于制作PN結或構成集成電路中的電阻、電容、互連布線、二極管和晶體管等器件。   

退火（Anneal）也叫熱退火，集成電路工藝中所有在氮氣等不活潑氣體中進行熱處理的過程都可稱為退火，其作用主要是消除晶格缺陷和消除硅結構的晶格損傷。 另外，為了使硅片表面形成良好的基礎，以及穩定Cu配線的結晶結構并去除雜質，從而提高配線的可靠性，通常需要把硅片放置在惰性氣體如氬氣的環境中進行低溫熱處理，這個過程被稱為合金（Alloy）。   

以上工藝廣泛用于半導體集成電路、先進封裝、電力電子（IGBT）、微機電（MEMS）、光伏電池（Photovoltaic）制造等應用領域中，北方華創的立式爐、臥式爐設備均已達到國內半導體設備的先進水平，其技術指標及工藝性能表現突出，致力于為客戶提供具有前瞻性與先導性的產品技術與解決方案。