近年人工智能迅猛發展，2.5D和3D封裝技術革新了芯片互聯方式，成為突破集成電路發展制程瓶頸的關鍵。TSV（硅通孔）技術作為先進互聯方式，在3D IC封裝如HBM（高帶寬內存）[1]以及2.5D封裝技術如CoWoS[2]中起著至關重要的作用，推動了集成電路產業發展，市場空間廣闊[3]。
[1] HBM是一種先進的內存技術，指將DRAM（動態隨機存儲器）芯片垂直堆疊至邏輯芯片旁，大幅增加內存帶寬，滿足了高性能需求。
[2] CoWoS是一種2.5D封裝技術，它突破了傳統單一封裝芯片的局限，通過硅中介層實現不同芯片的高度集成和高效互聯。
[3] TrendForce（集邦咨詢）預計2023年全球HBM需求量將年增近六成，2024年將再增長30%。
北方華創推出的12英寸深硅刻蝕機PSE V300，歷經迭代，已獲得國內多家12英寸先進集成電路廠商的認可，成為TSV量產生產線主力機臺，并擴展至功率器件、CIS（CMOS Image Sensor，圖像傳感器）等領域，全面應用于國內各大12英寸主流Fab廠。截至目前，設備裝機量已超百腔，市占率逐年提升，深受客戶認可。
PSE V300機臺采用快速氣體和射頻切換控制系統結合的方式，能在大于50:1高深寬比深硅刻蝕中精準控制側壁形貌，實現側壁無損傷和線寬無損傷，其工藝性能優于當前行業指標，刻蝕均勻性、選擇比更佳。
在結構系統方面，PSE V300采用每腔單片設計，具有更好的氣流場均勻性和真圓度工藝表現，確保半導體器件制造工藝質量和穩定性更優。機臺可同時配置6個腔室，產能、性能優異。此外，通過優化機臺晶圓邊緣保護裝置，提高產品良率，效果優于當前行業產品指標，廣受市場好評。
未來，北方華創將持續投入研發力量，以實現刻蝕機技術的新突破，力求以更優質的設備，為半導體產業的發展提供堅實的保障，推動產業進步，創造無限可能。
