在AI革新的浪潮中，我們見證了從語言對話到圖像及短視頻生成的探索與應用，AI不斷衍生的應用場景，正成為驅動AI大模型技術迭代和產業增長的重要力量。受應用場景驅動影響，AI需要更高性能的芯片來滿足數據資源的計算、傳感、存儲、通訊、安全等需求，集成電路技術擁有巨大的創新空間。
近年，芯片三維集成技術發展迅猛，三維集成的方式能有效地提高芯片整體性能和良率，高帶寬存儲HBM[1]和CoWoS[2]先進封裝技術被廣泛應用并加速發展，拉動集成電路裝備產業高質量發展。
北方華創深耕集成電路裝備產業二十余載，可為先進封裝領域客戶提供TSV（硅通孔）制造、正面制程-大馬士革工藝、背面制程-露銅刻蝕和RDL（再布線層）工藝的全面解決方案，涉及刻蝕、薄膜、爐管、清洗四大類二十余款裝備工藝解決方案。
在刻蝕裝備工藝解決方案中，北方華創PSE V300設備在TSV工藝中采用快速氣體和射頻切換控制系統結合的方式，在高深寬比深硅刻蝕中精準控制側壁形貌，實現側壁無損傷和線寬無損傷，刻蝕均勻性、選擇比更佳；采用每腔單片設計，具有更好的氣流場均勻性和真圓度工藝表現；通過優化機臺晶圓邊緣保護裝置，提高產品良率；在2.5D[3]工藝中，北方華創提供可滿足BVR（背面通孔暴露）和BFR（背面平整暴露）不同工藝需求的刻蝕工藝解決方案；北方華創HSE D300設備在Plasma Dicing（等離子體切割）工藝中針對小芯片制造具有高刻蝕速率和高深寬比能力優勢，具有多種UV膜[4]的冷卻方式，保證UV膜的延展性，實現高質量的芯片切割；BMD P300設備作為封裝領域Descum（去殘膠）的主力產品，在Bumping（凸點工藝）、Fan out（扇出封裝）、2.5D&3D應用中的殘留光刻膠去除、殘余金屬去除、表面活化等工藝方面，為客戶提供Descum解決方案。
在薄膜沉積裝備工藝解決方案中，北方華創采用PEALD（等離子體增強原子層沉積）方式沉積二氧化硅保護層，可實現更好的側壁形貌和底層覆蓋率；在TSV Barrier/Seed Deposition（阻擋層/種子層沉積）工藝中采用PVD（物理氣相沉積）設備解決方案，能滿足金屬擴散阻擋層/種子層的膜厚、均勻性、粘附性要求，防止金屬擴散，確保器件電學性能、結構完整性和工藝兼容性。
在爐管裝備工藝解決方案中，北方華創設備在TSV工藝的退火環節中通過出色的溫度控制能力和工藝表現，實現銅的晶粒分布更加均勻，降低電阻率，提高TSV的制造質量和性能。
在清洗裝備工藝解決方案中，北方華創設備在TSV工藝中可實現水溶性化學物質的結合，有效去除側壁聚合物，確保深孔內壁清潔；在2.5D工藝中可降低銅的腐蝕率，提高化學品應用效率，實現更高的經濟效益。
北方華創面向先進封裝領域提供多種核心工藝設備解決方案，始終堅持以客戶需求為導向，助力客戶開拓創新，推動產業進步，創造無限可能。
[1] AI對算力與存力的需求大幅提升，需要巨大的內存帶寬。
[2] AI芯片訓練和推理需要在內存和處理器之間傳輸大量數據，CoWoS則可將多個芯片堆疊在一起實現高度集成，提升芯片之間的通信效率。
[3]2.5D工藝是一種先進的封裝技術，通過在硅片的背面形成TSV（硅通孔）和RDL（再布線層）來實現不同芯片或芯片區域之間的垂直互連。
[4] 主要用以阻隔紫外線對敏感器件或工藝過程的影響，確保半導體制造過程中的高精度與高質量。
