近期，北方華創12英寸高介電常數原子層沉積設備Scaler HK430實現穩定量產，獲得批量訂單，市占率不斷攀升，贏得客戶信任。這標志著北方華創CVD（化學氣相沉積）先進工藝設備解決方案的成功應用，為華創進一步拓寬高端設備賽道注入新的動力。
為了突破晶體管尺寸微縮的工藝瓶頸，業界采用新型High-K材料HfO2（氧化鉿）作為柵介質層，結合金屬柵極技術，研發出HKMG(High-K/Metal Gate高介電常數/金屬柵極)工藝。該工藝在45nm及以下節點占據核心地位，CVD/ALD（原子層沉積）工藝設備成為HKMG工藝的重要支撐。北方華創憑借多年的原子層沉積技術積累，創新推出12英寸高介電常數原子層沉積設備Scaler HK430，憑借領先的性能優勢、產能優勢，以及應用于國內12英寸主流Fab（半導體制造）廠的實踐經驗，成為國內HiK量產生產線的主力機臺。
Scaler HK430設備采用Cross Flow（橫流）的進氣方式，能夠實現更好的工藝穩定性控制，運用旋轉Heater（加熱基座）結構設計，能夠達成更好的薄膜沉積均勻性及優異的顆?？刂票憩F；在結構系統方面，采用每腔單片式設計，在氣流場均勻性、溫度控制等方面表現優異，單片工藝結果一致性大幅提高；此外，反應源采用雙源瓶設計，能夠實現更高的Uptime（運行時間），同時源瓶采用真空加熱方式，溫度控制更加精準，安全系數更高，相較于同類型產品具備更好的顆?？刂颇芰?；在軟件方面，通過全自動流程及相關數據監控、安全互鎖設定等為實現穩定量產提供更好的運行環境，與同類型產品相比，具備更高的安全性及穩定性。廣泛應用于Logic（邏輯）、DRAM（動態隨機存儲器）等領域。
未來，北方華創將矢志不渝地加快科技創新的實踐步伐，不斷推進CVD先進工藝設備的布局研發，為半導體行業的多元化技術需求提供更為高效的解決方案，推動半導體裝備制造技術的發展邁向新高度。
